新的optimmos™功率MOSFET包使pqfn3具有创新的Source-Down技术.3 x 3.25v到100v的变种有3mm2

2022年1月7日, | 市场消息

慕尼黑, 德国- 1月7日, 2022 -高功率密度, 优化的性能, 在设计现代电力系统时,易用性是关键要求. 为终端应用中的设计难题提供实用的解决方案, 英飞凌 Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)发布了新一代optimmos™源-下(SD)功率mosfet. 它们是pqfn3.3 x 3.3 mm 2 电压等级从25 V到100 V不等. 该封装在功率MOSFET性能方面树立了一个新标准, 提供更高的效率, 高功率密度, 卓越的热管理和低物料清单(BOM). PQFN处理的应用程序包括 马达驱动器, smp服务器电信 OR-ing,以及 电池管理系统.

与标准的排水概念相比, 最新的Source-Down封装技术可以在相同的封装轮廓中实现更大的硅晶片. 除了, 这些损失是由一揽子计划造成的, 限制了设备的整体性能, 可以减少. 这使R得以还原 DS(上) 比目前最先进的排水装置高出30%. 在系统层面的好处是在外形因素收缩,有可能从SuperSO8 5 × 6毫米 2 足迹到pqfn3.3 x 3.3 mm 2 包装空间减少约65%. 这允许更有效地使用可用空间, 提高终端系统的功率密度和系统效率.

另外, 在Source-Down概念中, 热量通过热垫直接散失到PCB,而不是通过键合线或铜夹. 这提高了热阻R thJC 超过20%,从1.8 K/W到1.4 K/W,从而简化了热管理. 英飞凌提供两种不同的内存占用版本和布局选择:SD标准门和SD中心门. St和ard-Gate布局简化了drop-in replacement的Drain-Down包, 而中心门布局可以优化和更容易的并行化. 这两种选择可以在PCB中带来最佳的器件布局, 优化PCB寄生, 并且易于使用.

可用性

OptiMOS™Source-Down功率mosfet现在可在pqfn3.3 x 3.3 mm 2 封装,电压等级从25到100 V的广泛范围,和两种不同的足迹版本. 更多信息请访问 www.英飞凌.com/source-down.

更多关于英飞凌对能源效率的贡献: www.英飞凌.com/green-energy

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  • 来自英飞凌的新一代optimmos™源down (SD)功率mosfet采用pqfn3.3 x 3.3 mm2封装,电压等级从25 V到100 V不等. 与目前最先进的Drain-Down包相比,该包可以减少高达30%的RDS(上). 另外, 热量通过热垫直接散失到PCB,而不是通过键合线或铜夹. 这将RthJC的热阻提高了20%以上,从1.8 K/W到1.4 K/W.
    来自英飞凌的新一代optimmos™源down (SD)功率mosfet采用pqfn3.3 x 3.3 mm2封装,电压等级从25 V到100 V不等. 与目前最先进的Drain-Down包相比,该包可以减少高达30%的RDS(上). 另外, 热量通过热垫直接散失到PCB,而不是通过键合线或铜夹. 这将RthJC的热阻提高了20%以上,从1.8 K/W到1.4 K/W.
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  • 来自英飞凌的新一代optimmos™源down (SD)功率mosfet采用pqfn3.3 x 3.3 mm2封装,电压等级从25 V到100 V不等. 与目前最先进的Drain-Down包相比,该包可以减少高达30%的RDS(上). 另外, 热量通过热垫直接散失到PCB,而不是通过键合线或铜夹. 这将RthJC的热阻提高了20%以上,从1.8 K/W到1.4 K/W.
    来自英飞凌的新一代optimmos™源down (SD)功率mosfet采用pqfn3.3 x 3.3 mm2封装,电压等级从25 V到100 V不等. 与目前最先进的Drain-Down包相比,该包可以减少高达30%的RDS(上). 另外, 热量通过热垫直接散失到PCB,而不是通过键合线或铜夹. 这将RthJC的热阻提高了20%以上,从1.8 K/W到1.4 K/W.
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  • 来自英飞凌的新一代optimmos™源down (SD)功率mosfet采用pqfn3.3 x 3.3 mm2封装,电压等级从25 V到100 V不等. 与目前最先进的Drain-Down包相比,该包可以减少高达30%的RDS(上). 另外, 热量通过热垫直接散失到PCB,而不是通过键合线或铜夹. 这将RthJC的热阻提高了20%以上,从1.8 K/W到1.4 K/W.
    来自英飞凌的新一代optimmos™源down (SD)功率mosfet采用pqfn3.3 x 3.3 mm2封装,电压等级从25 V到100 V不等. 与目前最先进的Drain-Down包相比,该包可以减少高达30%的RDS(上). 另外, 热量通过热垫直接散失到PCB,而不是通过键合线或铜夹. 这将RthJC的热阻提高了20%以上,从1.8 K/W到1.4 K/W.
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